• FDN338
  • FDN335N
  • TO-236-3 P-Channel 20V 1.6A 115mΩ
  • TO-236-3 P-Channel 20V 1.6A
AIBOM
中文簡體
更新時間:2020-01-07 15:33:23
首頁 > 分立器件 > 晶體管 > MOS管 > FDN338P
FDN338P
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  • 符合RoHS規范
  • 無鉛
  • TO-236-3, SC-59,...
    封裝:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 21周
    原廠交貨周期:21周
  • 在產
    生命周期:在產
  • 1998年
    發布時間:1998
  • 參考價格:

FDN338P 全球供應商

全球供應商

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供應商 發貨地 庫存數量 交期(天) MOQ 貨幣 1+ 10+ 100+ 1K+ 10K+ 購買
深圳 6050 立即發貨 10 CNY 0.760 0.760 0.684 0.494 0.456 購買
海外 0 4 1 KRW 600.000 430.000 200.000 150.000 120.000 詢價
 -  1955 立即發貨 5 USD - 0.139 0.096 0.086 0.081 購買
上海 300 立即發貨 10 CNY - 1.535 1.480 1.480 1.480 購買
美國 141000 立即發貨 3000 CNY - - - - 0.861 購買
上海
上海 新加坡 美國 英國
21412 2 1 CNY 3.030 2.150 0.990 0.760 0.590 購買
美國 80 立即發貨 1 USD 0.257 0.209 0.140 0.099 0.099 購買
美國 3903 立即發貨 1 USD 0.089 0.089 0.089 0.088 0.088 購買
日本 78000 5 3000 USD - - - - 0.134 購買
 -  0 立即發貨 CNY 1.000 0.580 0.500 0.500 0.500 詢價
荷蘭 6000 2 3000 USD - - - - 0.073 購買
美國 78000 156 3000 USD 0.106 0.106 0.106 0.106 0.096 購買

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FDN338P 中文資料規格參數

技術參數
額定電壓(DC)
-20.0 V
額定電流
-1.60 A
漏源極電阻
115 mΩ
極性
P-Channel
耗散功率
500mW(Ta)
漏源極電壓(Vds)
-20.0 V
漏源擊穿電壓
-20.0 V
柵源擊穿電壓
-8.00 V to 8.00 V
連續漏極電流(Ids)
1.60 A
其他
產品生命周期
Active
包裝方式
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
封裝參數
安裝方式
Surface Mount
引腳數
3
封裝
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
外形尺寸
封裝
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
符合標準
RoHS標準
Compliant
含鉛標準
Lead Free
REACH SVHC標準
No SVHC
海關信息
ECCN代碼
EAR99
產品概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? FDN338P? 晶體管, MOSFET, P溝道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV

最大源漏極電壓VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大柵源極電壓Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏極電流IdDrain Current| -1.6A 源漏極導通電阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.115Ω @-1.6A,-4.5V 開啟電壓Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 描述與應用| 行業標準外形SOT-23表面貼裝 包裝使用專有SuperSOT TM-3設計 卓越的熱性能和電氣性能。 高密度電池設計極低的RDS(ON) 卓越的導通電阻和最大DC電流能力

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FDN338P 數據手冊

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器件圖
型號
制造商
品名
封裝
描述
價格(RMB)
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對比
FDN338P
FDN338P
Fairchild (飛兆/仙童)
MOS管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR? FDN338P? 晶體管, MOSFET, P溝道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV
當前型號
AO3413
AO3413
萬代半導體
MOS管
SOT-23/SC-59
P溝道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5V
對比
AO3423
AO3423
萬代半導體
MOS管
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-20V,-2A,P溝道MOSFET
對比
FDN338P_NL
FDN338P_NL
飛兆/仙童
MOS管
SuperSOT
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
-
對比
更多代替型號

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FDN338P品牌廠家:Fairchild(飛兆/仙童)FDN338P渠道分銷商:12家,現貨庫存數量:6050 PCS,FDN338P價格參考:¥0.45元。Fairchild(飛兆/仙童) FDN338P參數(TO-236-3 P-Channel 20V 1.6A 115mΩ,封裝:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3),FDN338P中文資料和引腳圖及功能表說明書PDF下載(8頁,113KB),您可以在FDN338PMOS管規格書Datesheet數據手冊中,查到FDN338P引腳圖及功能的應用電路圖電壓和使用方法,FDN338P典型電路教程。 FDN338P可以用什么代替?代換型號如:AO3413、AO3423替代換,FDN338P系列中文手冊中包含FDN338P各引腳定義說明介紹及FDN338P引腳功能圖解,用戶中文手冊FDN338P手冊PDF下載(8頁,113KB)。您可在采芯網下載FDN338P產品選型手冊,FDN338P產品設計參考手冊,FDN338P用戶編程技術手冊,FDN338P開發手冊。

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